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本发明提供了一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的器件，包括：单元素同位素富集的极化激元材料薄片；和所述极化激元材料薄片被置于其上的衬底。本发明的器件可以是高Q值纳米微腔，波导，耦合器等极化激元光子器件。本发明还涉及一种基于同位素...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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