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磁盘存储系统和薄膜磁头技术方案
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文档序号:3072624
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在本发明中,具有大于1.5T的高饱和磁通密度和大于40μΩ.cm的电阻率的磁膜通过使用(40-60)Ni-Fe电镀方法并向(40-60)Ni-Fe加入Co,Mo,Cr,B,In,Pd等制造。从而可获得能够在高的频率范围进行充分记录的记录磁头...
该专利属于株式会社日立制作所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社日立制作所授权不得商用。
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