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一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法技术
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文档序号:30710830
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本发明实施例提供一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法,该方法包括:将硅料和第一重量的掺杂剂加入坩埚中,生长第一单晶硅;在第一单晶硅生长的收尾阶段完成后,按照预设转速调节坩埚的转速,以及按照预设功率调节加热器的功率,其中,预设转速与引晶阶段坩埚...
该专利属于隆基绿能科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过隆基绿能科技股份有限公司授权不得商用。
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