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本发明提供一种半导体封装材料,基板材料的制备方法,包括提供球形或不定形聚硅氧烷;在非氧化性气体或真空下进行热处理得到热处理粉体,以使得热处理粉体内部的有机基热分解成碳元素,同时使得热处理粉体的表面的硅羟基缩合形成表面致密层;进行煅烧得到黑色...该专利属于浙江三时纪新材科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江三时纪新材科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种半导体封装材料,基板材料的制备方法,包括提供球形或不定形聚硅氧烷;在非氧化性气体或真空下进行热处理得到热处理粉体,以使得热处理粉体内部的有机基热分解成碳元素,同时使得热处理粉体的表面的硅羟基缩合形成表面致密层;进行煅烧得到黑色...