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本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种在线检测硅槽刻蚀深度的方法，包括在样品晶圆和待测晶圆的掺杂区域上构造监控结构，其中所述监控结构具有参考结构和多个对照结构，所述参考结构上不具有硅槽，所述多个对照结构上分别具有多个大小一致但数量不等的硅槽...
该专利属于上海信及光子集成技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海信及光子集成技术有限公司授权不得商用。

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