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本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法，该器件在外延层设置有沟槽，在沟槽内填充多晶硅，在多晶硅和沟槽之间设置有厚氧化层和薄氧化层，在对应薄氧化层的沟槽上端周围的外延层上设置有Pbody基区；在厚氧化层对应的外延层处设置有N+区层...
该专利属于济南市半导体元件实验所所有，仅供学习研究参考，未经过济南市半导体元件实验所授权不得商用。

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