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本发明公开了一种基于化合物半导体的双面型三维HEMT器件设计和制备方法，采用上下面设计和制造方法，有别于传统的HEMT芯片单面单向设计制造，本发明为双面双向设计构造，将芯片由单面平面型，升级为三维立体垂直型，增大了芯片的集成度，增强了芯片的...
该专利属于王晓波所有，仅供学习研究参考，未经过王晓波授权不得商用。

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