温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及提供一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管至少包括：衬底；外延层，设置在衬底的一侧，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；叠层增透膜层，包括第一钝化层和透明导电层，第一钝化层设置在第...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。