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本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法，该用于高压发光器件的隔离结构的制备方法，包括：在衬底上形成线条型绝缘层；以线条型绝缘层为掩膜，对衬底进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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