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本申请公开了一种IGBT器件。该IGBT器件包括：IGBT元胞；栅电极，设置在IGBT元胞上；场氧层，设置在IGBT元胞上；场板，设置于场氧层上，且场板与栅电极间隔设置。通过这种方式，能够提高IGBT器件的耐压性能。提高IGBT器件的耐压性...
该专利属于美的集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美的集团股份有限公司授权不得商用。

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