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低噪声硅锗图像传感器制造技术
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文档序号:30638890
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本公开提供低噪声硅锗SiGe图像传感器。在一个实施例中,一种图像传感器包含布置在安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列中的多个像素。个别像素的光电二极管经配置以接收穿过所述半导体衬底的被照射表面的入射光。所述半导体衬底包含:半导体材料的第一层...
该专利属于豪威科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过豪威科技股份有限公司授权不得商用。
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