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本发明公开了一种能够进行高密度记录的垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置。该垂直磁记录介质包含基板，在该基板上形成软磁底层、由非晶材料制成的籽晶层、由Ｒｕ或者以Ｒｕ作为主要成分的Ｒｕ合金制成的底层以及包含第一磁性层和第二磁性层的记录层。该...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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