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本发明公开了一种MEMS器件的盲孔结构,属于微机电系统技术领域,包括器件本体,其由衬底、器件层和盖板自下而上堆叠形成,所述器件本体内开设有多个盲孔,多个所述盲孔分布在所述器件层与所述衬底的交汇处,多个所述盲孔分布在所述器件层与所述盖板的交汇...该专利属于美满芯盛(杭州)微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过美满芯盛(杭州)微电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种MEMS器件的盲孔结构,属于微机电系统技术领域,包括器件本体,其由衬底、器件层和盖板自下而上堆叠形成,所述器件本体内开设有多个盲孔,多个所述盲孔分布在所述器件层与所述衬底的交汇处,多个所述盲孔分布在所述器件层与所述盖板的交汇...