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本发明为克服耦合带宽窄、耦合效率低的缺陷，提出一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法，其中包括衬底，设置在衬底上的绝缘层，设置在绝缘层上的第一波导芯层、第二波导芯层、第三波导芯层、铌酸锂薄膜层和波导层，以及覆盖在所述第一波导芯层、第...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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