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本发明公开了一种端面耦合器及其制备方法，涉及光通信技术领域，本发明的端面耦合器,包括硅衬底以及层叠设置于硅衬底上的下包层和上包层，下包层和上包层之间设置有同向光传输的第一波导和第二波导，第二波导在第一波导的相对两侧对称设置，第一波导包括沿光...
该专利属于东莞铭普光磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞铭普光磁股份有限公司授权不得商用。

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