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本发明提供了一种集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块装置。本发明通过在单相半桥、单相全桥或者三相桥式碳化硅功率半导体模块内集成有源缓冲电路可以降低碳化硅功率半导体模块的开关损耗，降低振荡以及阻尼损耗，同时降低电压尖峰,碳化硅功率半导体模块可工...
该专利属于光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司授权不得商用。

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