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用于在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻溶液和方法技术
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下载用于在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻溶液和方法的技术资料
文档序号:30509600
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本文描述了一种蚀刻溶液和使用所述蚀刻溶液的方法,所述蚀刻溶液包含水、磷酸溶液(水性)、如本文所公开的有机硅化合物和含羟基的水混溶性溶剂。此类组合物可用于相对于氧化硅选择性去除氮化硅。选择性去除氮化硅。
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该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。
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