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本发明提供一种磁性随机存储阵列及半导体器件，在占用相同衬底面积前提下，通过多个沿第三方向延伸的有源区以及多条沿第二方向延伸的字线的布局方式，能够有效利用衬底面积空间，实现更小的存储单元的特征尺寸和更高的存储密度，芯片成本更低。进一步地，可以...
该专利属于徐征所有，仅供学习研究参考，未经过徐征授权不得商用。

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