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具有集成相位掩模的全息存储介质。本发明涉及一种全息存储介质（１０），更具体而言，涉及一种具有集成相位掩模（２１）的全息存储介质（１０）。根据本发明，全息存储介质（１０）具有在全息存储层（２２）顶部上的相位掩模层（２１），其中该相位掩模层（２...
该专利属于汤姆森特许公司所有，仅供学习研究参考，未经过汤姆森特许公司授权不得商用。

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