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一种Sn和Mn共掺杂的Co3O4纳米片、制备方法及其作为气敏材料的应用技术
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文档序号:30435566
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本发明属于纳米材料应用技术领域,提供了一种Sn和Mn共掺杂的Co3O4纳米片的制备方法,包括以下步骤:(1)多金属MOF多面体制备:将Co(NO3)2·
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该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。
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