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发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属...
该专利属于哈尔滨理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨理工大学授权不得商用。

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