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本发明提供了一种晶圆切割方法，首先从采用第一激光切割工艺沿器件晶圆的表面向下开槽，形成横向宽度较大的第一凹槽，然后刻蚀器件晶圆的表面，去除形成第一凹槽时产生并附着在器件晶圆的表面的颗粒物，然后平坦化器件晶圆的表面，保证器件晶圆的表面的洁净度...该专利属于湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司授权不得商用。