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本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和叠层钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；叠层钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，第一钝化层由非掺杂P型材料构成，...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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