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本发明公开了一种单晶硅片背面抛光方法，其包括：提供硅片；在硅片的正面形成水膜；将硅片的背面接触第一酸液，以去除PSG；采用氧化液在硅片的正面形成氧化层；背面接触碱液，抛光硅片的背面；采用第二酸液去除硅片正面的氧化层；其中，所述碱液不与所述氧...该专利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司授权不得商用。