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一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于衬底上的介质结构，所述介质结构覆盖所述栅极结构；位于介质结构内的第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述栅极结构一侧或两侧；位于介质结构内的开口，所述开口暴露出所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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