下载硅基氮化镓外延结构及其制备方法的技术资料

文档序号:30423751

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本发明公开了一种硅基氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述硅基氮化镓外延结构的制备方法包括:在硅衬底上生长AlN成核层;在所述AlN成核层上生长准二维GaN超薄浸润岛;使所述准二维GaN超薄浸润岛在很小的厚度范围内合并,形成GaN超薄过渡层;...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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