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本发明公开了一种半导体复合层，包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上设有第一结构，第一结构包括在第一表面上周期性平行排列的多个第一凹槽，在第一结构上形成有第二半导体层，第一结构用于在第一半导体层与第二半导体层之间形成声子晶体界面。本发明...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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