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本发明公开了一种氮化铝纳米片阵列的制作方法，该方法包括：在衬底上形成氮化铝单晶材料层；对氮化铝单晶材料层进行刻蚀，以形成由多个氮化铝片组成的氮化铝片阵列，其中，氮化铝片所在的平面垂直于衬底的表面；在电场环境中对氮化铝片阵列进行腐蚀，以减薄氮...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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