温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文公开了一种用于检测辐射的装置及其制备方法。该方法包括在半导体衬底(102)中形成凹部(104)，其中所述半导体衬底(102)的一部分(107)延伸到所述凹部(104)中并且被所述凹部(104)包围；将半导体纳米晶体(106)沉积到所述凹...
该专利属于深圳帧观德芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳帧观德芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。