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碳化硅半导体装置具备：在由碳化硅构成的半导体基板(10)上形成的n型的漂移层(20)、在漂移层(20)的表层部形成的p型的阱区域(30)、在阱区域(30)的表层部形成的n型的源极区域(40)、以与源极区域(40)、阱区域(30)和漂移层(2...
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