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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区，所述阱区中形成有第二漂移区以及位于所述第二漂移区中的第三隔离结构；栅极结构，位于所述隔离结构之间的半导体衬底上，所述栅极结构包括依次位于半导体衬底上的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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