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本发明涉及一种掺杂离子的薄膜晶体管，其包括衬底、设置在衬底一表面上的栅电极、设置在衬底另一表面上的绝缘层、设置在绝缘层表面上的金属氧化物半导体层、以及设置在金属氧化物半导体层表面上的源电极和漏电极，绝缘层为掺杂离子的高介电常数材料绝缘层，离...
该专利属于西交利物浦大学所有，仅供学习研究参考，未经过西交利物浦大学授权不得商用。

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