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本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层以及P型接触层；复合P型层包括依次层叠在有源层上的第一复合层和第二...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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