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本发明提供了一种隧穿氧化钝化接触电池、制备方法及设备，该方法包括：提供N型的硅基底，对硅基底清洗后制绒。然后在硅基底的表面进行硼扩散制备PN结。接着去除硅基底在硼扩散时背面形成的硼硅玻璃，以及去除扩散至硅基底的硼，采用臭氧水对硅基底的背面进...
该专利属于西乡（上海）国际贸易有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西乡（上海）国际贸易有限公司授权不得商用。

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