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本发明提供一种能够增大源漏间电流的真空沟道场效应晶体管及其制造方法以及半导体装置。真空沟道场效应晶体管(100)具有：设置在p型半导体基板(1)上的第一绝缘膜(2)、设置在第一绝缘膜(2)上的栅极(3)、设置在栅极(3)上的第二绝缘膜(4)...该专利属于安藤里江子野口由纪子高平永美子所有，仅供学习研究参考，未经过安藤里江子野口由纪子高平永美子授权不得商用。
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本发明提供一种能够增大源漏间电流的真空沟道场效应晶体管及其制造方法以及半导体装置。真空沟道场效应晶体管(100)具有：设置在p型半导体基板(1)上的第一绝缘膜(2)、设置在第一绝缘膜(2)上的栅极(3)、设置在栅极(3)上的第二绝缘膜(4)...