温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种非晶硅薄膜形成方法，涉及半导体集成电路领域。该非晶硅薄膜形成方法包括在半导体衬底表面形成底层非晶硅薄膜；进行n次成膜工艺处理，在所述底层非晶硅薄膜表面形成n组层叠的薄膜结构，每组薄膜结构由一层氧化硅薄膜和一层非晶硅薄膜堆叠构...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。