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一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面暴露出所述第一导电结构表面；位于第一导电结构表面的第一防散射层；位于第一防散射层表面的第二导电结构。所述半导体结构的性能得到了提升。的性能得到了提...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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