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本发明公开了一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺,包括SiC层(1)，SiC层(1)上设有若干第一沟槽(2)，第一沟槽(2)的中部上端设有第二沟槽(3)，第二沟槽(3)内填充有浅P+grid层，第一沟槽(2)和第二沟槽(3)之间填...
该专利属于杭州中瑞宏芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中瑞宏芯半导体有限公司授权不得商用。

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