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本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种超突变变容二极管，包括：N型重掺杂衬底；N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底上方；P型重掺杂层，设置于所述N型轻掺杂外延层内上部，所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一，若干个所述凸起一均呈柱...
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