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本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及显示技术领域。薄膜晶体管的制备方法包括在同道蚀刻工艺中，利用含氟离子酸溶液蚀刻薄膜晶体管的沟道位置的金属层和欧姆接触层，欧姆接触层的材料为掺杂的非晶硅。该制备方法能够改善2W2D工艺、减...
该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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