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一种工艺制造方法、阈值电压的调节方法、设备和存储介质，工艺制造方法包括：工艺制造方法包括：确定待形成MOS器件类型以及对应的阈值电压区间；根据MOS器件类型以及对应的阈值电压区间，通过查询预先配置的阈值电压区间第一映射关系与阈值电压区间第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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