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本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的多个初始浮栅结构，形成在相邻的所述初始浮栅结构之间且延伸至所述半导体衬底中的隔离结构；回刻去除所述隔离结构中的...
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