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本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为Al
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该专利属于新世纪光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新世纪光电股份有限公司授权不得商用。

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