温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及GaN制备技术领域，且公开了一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构，包括安装基板和沉积底座，所述安装基板的底部表面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔离气体的环形导流圈，安装基板的底部表面中心处安装有混合导流圈，混合导流圈的内...
该专利属于无锡吴越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡吴越半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。