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本发明提供一种套刻测量方法及装置，包括：使测量光束照射至套刻标记并形成正负级次衍射光后，所述正负级衍射光以相同方向传播并发生干涉产生干涉光；利用能量探测器获取所述干涉光的光强。即，本发明采用使正负级衍射光发生相干产生干涉光，对干涉光的光强直...
该专利属于上海微电子装备（集团）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微电子装备（集团）股份有限公司授权不得商用。

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