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本发明公开一种提高SiC晶体生长效率及质量的方法及装置，所述方法包括步骤：通过液态Si获取气态Si；通入气态CH4，CH4在设定温度下裂解，然后与气态Si发生反应，在保护气氛围下提拉、旋转籽晶以实现SiC晶体生长前沿热场的调控、稳定以及大质...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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