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本发明提供了一种片上固态超级电容，包括结构相同且对称设置的第一电极和第二电极，所述第一电极包括硅衬底、至少两个硅纳米柱、金属硅化物层、TiVN薄膜、导电柱以及凝胶层，所述硅纳米柱设置于所述硅衬底上，且所述硅纳米柱之间互不接触，所述金属硅化物...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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