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本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔G...
该专利属于山东加睿晶欣新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东加睿晶欣新材料股份有限公司授权不得商用。

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