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本发明一种功率绝缘体上的硅衬底的制备工艺，包括准备一片硅外延片作器件层硅衬底，一片氧化硅片做支撑硅衬底，进行等离子表面活化处理后，常温键合后进行低温退火，采用机械研磨的减薄方式后，利用快腐加慢腐的两步选择性酸腐蚀去除衬底硅单晶，进行CMP抛...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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