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本发明公开了一种基于非熔融态相变器件的多级联想记忆电路，属于人工神经网络领域，包括：N+1个输入节点，分别用于接收非条件刺激信号和各级条件刺激信号；N(N+1)/2个互连模块，任意两个输入节点之间连接有一互连模块，以对各输入节点接收到的信号...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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